Infineon gilt bereits als Weltmarktführer im Bereich der Galliumnitrid-Wafer-Technik (GaN). Jetzt soll am Standort Villach in Österreich die weltweit erste Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern entstehen. Dafür sollen 1,1 Milliarden Euro investiert werden.
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